Término solicitado: REAL, MARIANO/(22)
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| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | Differential measurement techniques using a programmable Josephson voltage standard |
| Autor: | Luna, Estefanía; Schneider, Guillermo; Real, Mariano; Iuzzolino, Ricardo |
| Reunión: | Universidad Nacional del Sur. UNS. Bahía Blanca. AR, Congreso Argentino de Electrónica, 2024, Bahía Blanca. AR, 2024 |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | Bahía Blanca. AR. UNS. 2024. |
| Pág./Vol.: | 4p.: fot.; tbls.; grafs.; il. |
| Descriptores: | Voltaje; Muestreo; Señales |
| Resumen: | This work presents two methods to reconstruct a signal using differential sampling measurements. These measurements were obtained by measuring an AC signal generator against a Programmable Josephson Voltage Standard (PJVS). The main objective of both methods is to eliminate the ubiquitous transients and to reconstruct the signal of the generator under test. In such direction, the Root Mean Square (RMS) value of the digitized signal was obtained and compared using both methods with uncertainties of about 0.9 µV. Therefore, both methods can be applied to measure and characterize an AC generator with a direct traceability to the voltage primary standard reducing the effect of increasing steps and uncertainties in the traceability chain. |
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
| Título: | Generación de señales de espectro puro con el sistema Josephson pulsado |
| Autor: | Iuzzolino, Ricardo; Pinto, Daniel; Real, Mariano; Tonina, Alejandra |
| Reunión: | Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI. Argentina, TecnoINTI edición 2022. Jornadas de Desarrollo Tecnológico e Innovación, 14, Buenos Aires. AR, 2022 |
| Idioma: | spa |
| Datos de Edición: | Buenos Aires. AR. INTI. 2022. |
| Pág./Vol.: | pag. varias: grafs.; fot. |
| Unidad técnica: | INTI-Departamento de Metrología Cuántica. |
| Descriptores: | Generadores de señales; Generadores de pulsos; Superconductividad; Tensiones; Metrología |
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | Graphene epitaxial growth on SiC(0001) for resistance standards |
| Autor: | Real, Mariano; Lass, Eric A.; Liu, Fan-Hung; Shen, Tian; Jones, George R.; Soons, Johannes A.; Newell, David B.; Davydov, Albert V.; Elmquist, Randolph E. |
| Autor Instit.: | INTI-Física y Metrología. Buenos Aires. AR; Institute of Electrical and Electronics Engineers. IEEE. New York. US |
| Título Ser./Col.: | IEEE Transactions on instrumentation and measurement, Vol. 62, Nº 6, june 2013, pp.1454-1460 |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | New York. US. IEEE. 2013. |
| Pág./Vol.: | 7p. |
| Notas: | Fuente: IEEE, de acuerdo a su política de copywright: "Los autores / empleadores pueden reproducir o autorizar a terceros a reproducir la Obra, material extraído literalmente de la Obra o trabajos derivados para el uso personal del autor o para uso de la empresa, siempre que se indique la fuente y el aviso de copyright de IEEE, no deben usarse las copias de ninguna manera que implique el respaldo de IEEE de un producto o servicio de cualquier empleador y las copias en sí no se ofrecen para la venta". |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Resistencia eléctrica; Mediciones eléctricas; Difusión; Crecimiento; Morfología; Superficies; Grafito; Ensayos |
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
| Título: | Graphene epitaxial growth on SiC(0001) for resistance standards |
| Autor: | Real, Mariano; Shen, Tian; Jones, George R.; Elmquist, Randolph E.; Soons, Johannes A.; Davydov, Albert V. |
| Autor Instit.: | National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. US; INTI-Física y Metrología. Buenos Aires. AR |
| Reunión: | Conference on precision electromagnetic measurements, Washington. US, 2012 |
| Título Ser./Col.: | CPEM 2012 Conference, pp. 600-601 |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | New York. US. IEEE. 2012. |
| Pág./Vol.: | 2p. |
| Notas: | Fuente: IEEE, de acuerdo a su política de copywright: "Los autores / empleadores pueden reproducir o autorizar a terceros a reproducir la Obra, material extraído literalmente de la Obra o trabajos derivados para el uso personal del autor o para uso de la empresa, siempre que se indique la fuente y el aviso de copyright de IEEE, no deben usarse las copias de ninguna manera que implique el respaldo de IEEE de un producto o servicio de cualquier empleador y las copias en sí no se ofrecen para la venta". |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Resistencia eléctrica; Mediciones eléctricas; Morfología; Superficies; Grafito; Ensayos |
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
| Título: | Characteristics of graphene for quantized hall effect measurements |
| Autor: | Elmquist, Randolph E.; Shen, Tian; Real, Mariano; Calizo, Irene G.; Bush, Brian G.; He, Guowei; Yang, Yanfei; Klimov, Nikolai; Newell, David B.; Hight-Walker, Angela R.; Feenstra, Randall M. |
| Autor Instit.: | National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. US; INTI-Física y Metrología. Buenos Aires. AR; Carnegie-Mellon University. Pittsburgh. US; Georgetown University. Washington. US |
| Reunión: | Conference on precision electromagnetic measurements, Washington. US, 2012 |
| Título Ser./Col.: | CPEM 2012 Conference Digest, pp. 514-515 |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | Gaithersburg. US. NIST. 2012. |
| Pág./Vol.: | 2p. |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Resistencia eléctrica; Mediciones eléctricas; Propiedades eléctricas; Propiedades físicas; Grafito; Ensayos |
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Trabajo de INTI |
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