Término solicitado: ECHARRI, MARTIN/(22)
2 Registro/s encontrado/s en CAT+NORMA
| Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
| Título: | COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in Orbit |
| Autor: | Lipovetzky, José; Garcia-Inza, Mariano; Rodríguez Cañete, Macarena; Redin, Gabriel; Carbonetto, Sebastián; Echarri, Martín; Golmar, Federico; Gomez Marlasca, Fernando; Barella, Mariano; Sanca, Gabriel; Levy, Pablo; Faigón, Adrián |
| Reunión: | Universidad Nacional de San Martín. Instituto Colomb. UNSAM. Buenos Aires. AR, Comisión Nacional de Actividades Espaciales. CONAE. Buenos Aires. AR, Primer Simposio Latinoamericano de la Academia Internacional de Astronáutica sobre Pequeños Satélites: Tecnologías Avanzadas y Sistemas Distribuidos, 1, Buenos Aires. AR, 2017 |
| Título Ser./Col.: | Primer Simposio Latinoamericano de la Academia Internacional de Astronáutica sobre Pequeños Satélites: Tecnologías Avanzadas y Sistemas Distribuidos |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | Buenos Aires. AR. UNSAM, CONAE. 2017. |
| Pág./Vol.: | pp. 268-273. |
| Descriptores: | Satélites artificiales; Semiconductores; Mediciones; Dosimetría |
| Resumen: | We present theresults after 2.5 years in orbit of Total Ionizing Dose (TID) measurements done using Metal Oxide Semiconductor (MOS) dosimeters on the MeMOSatboard. The MeMosat board was launched on July 19th 2014 at theBugSat-1 “Tita” microsatellite developed bySatellogic to stay at LEO. We used asdosimeters p-channel Commercial Off The Shelf (COTS) MOS transistors with gate oxides of 250 nm.Before launch, asubset of transistors with similardrain current to voltage (I-V) curves where selected from a group of100 devices. The temperature dependence of the (I-V) curves was studied to find the minimum temperature coefficient biasing point. Then, a calibrationsubgroup of sensors was irradiated using a60Co gamma source to study their response to TID, showingresponsivities of ~75 mV/krad when the sensors are irradiated without gate bias. Also, the postirradiation response of the sensors wasmonitored, in order to include a correction for low dose rate irradiations, yielding 30 mV/krad. A biasing and reading circuit was developed in order toallow the readingof up to 4 sensors. The threshold voltage was monitored during different periods of themission. After 2.5 years in orbit, the threshold voltage of the sensor mounted on the MeMOSat Board had aVTshift of approximately 35 mV corresponds toa dose of 1.2 krads. |
 Ver Documento
| |
Trabajo de INTI |
|
| Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
| Título: | Laboratorio de diseño y caracterización de circuitos integrados y MEM |
| Autor: | Echarri, Martín; Gabian, Gabriel; Tozzi, Leandro; Lozano, Alex |
| Autor Instit.: | INTI-Electrónica e Informática. Buenos Aires. AR |
| Reunión: | Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI. Buenos Aires. AR, Encuentro de primavera 2011, Encuentro INTI, 10, Buenos Aires. AR, 2011 |
| Idioma: | spa |
| Datos de Edición: | Buenos Aires. AR. INTI. 2011. |
| Pág./Vol.: | p.298-299. |
| Notas: | Tema 07: Los nuevos productos argentinos, P11181. |
| Unidad técnica: | INTI-Electrónica e Informática. |
| Descriptores: | Diseño de circuitos; Circuitos integrados; Dispositivos electrónicos; Microelectrónica; Semiconductores; Software |
| Ver Documento
| |
Trabajo de INTI |
|
| Ubicación: | 4686 |
| Disponibilidad: | Consulta in situ |
Fin
[Página de Inicio] [Nueva Búsqueda][Página Anterior]