Título/s: Graphene epitaxial growth on SiC(0001) for resistance standards
Autor/es: Real, Mariano; Shen, Tian; Jones, George R.; Elmquist, Randolph E.; Soons, Johannes A.; Davydov, Albert V.
Institución: National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg, US
INTI-Física y Metrología. Buenos Aires, AR
Editor: IEEE
Palabras clave: Resistencia eléctrica; Mediciones eléctricas; Morfología; Superficies; Grafito; Ensayos
Idioma: eng
Fecha: 2012
Notas: Fuente: IEEE, de acuerdo a su política de copywright: "Los autores / empleadores pueden reproducir o autorizar a terceros a reproducir la Obra, material extraído literalmente de la Obra o trabajos derivados para el uso personal del autor o para uso de la empresa, siempre que se indique la fuente y el aviso de copyright de IEEE, no deben usarse las copias de ninguna manera que implique el respaldo de IEEE de un producto o servicio de cualquier empleador y las copias en sí no se ofrecen para la venta"
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