Término solicitado: STASZEWSKI, G.M. VON/(22)
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| Tipo de Docum.: | serie monográfica |
| Título: | Interfase Si/SiO2 en la oxidación del silicio |
| Autor: | Staszewski, G.M. von; Walsoe de Reca, N.E. |
| Autor Instit.: | Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas. CITEFA. Buenos Aires. AR |
| Título Ser./Col.: | Comunicación científica, 67 |
| Idioma: | spa |
| Datos de Edición: | Buenos Aires. AR. CITEFA. 1977. |
| Pág./Vol.: | 24p., figs. |
| Descriptores: | Oxidación; Silicio; Circuitos integrados; Fabricación; Tratamientos térmicos; Defectos de los materiales |
| Ubicación: | 531/622/I59/Ser.67 |
| Disponibilidad: | Préstamo |
| Tipo de Docum.: | serie monográfica |
| Título: | Electromigración en los conductores de Al de los circuitos integrados |
| Autor: | Staszewski, G.M. von; Walsoe de Reca, N.E. |
| Autor Instit.: | Instituto de Investigaciones Científicas y Técnicas de las Fuerzas Armadas. CITEFA. Buenos Aires. AR |
| Título Ser./Col.: | Comunicación científica, 45 |
| Idioma: | spa |
| Datos de Edición: | Buenos Aires. AR. CITEFA. 1976. |
| Pág./Vol.: | 20p., figs. |
| Descriptores: | Conductores eléctricos; Aluminio; Circuitos integrados; Iones; Cargas eléctricas; Resistencia eléctrica |
| Ubicación: | 531/622/I59/Ser.45 |
| Disponibilidad: | Préstamo |
Fin
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