Término solicitado: SOONS, J./(22)
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Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
Título: | Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar |
Autor: | Real, M.A.; Tonina, A.; Elmquist, R.E.; Lass, E.A.; Liu, F.H.; Soons, J. |
Reunión: | Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI. Buenos Aires. AR, TecnoINTI edición 2013. Jornadas Abiertas de Desarrollo, Innovación y Transferencia Tecnológica, 11, Buenos Aires. AR, 2013 |
Idioma: | spa |
Datos de Edición: | Buenos Aires. AR. INTI. 2013. |
Pág./Vol.: | 2p. |
Unidad técnica: | INTI-Física y metrología. |
Descriptores: | Circuitos integrados; Carburos; Silicio |
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Trabajo de INTI |
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