Término solicitado: ELMQUIST, R.E./(22)
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| Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
| Título: | Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar |
| Autor: | Real, M.A.; Tonina, A.; Elmquist, R.E.; Lass, E.A.; Liu, F.H.; Soons, J. |
| Reunión: | Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI. Buenos Aires. AR, TecnoINTI edición 2013. Jornadas Abiertas de Desarrollo, Innovación y Transferencia Tecnológica, 11, Buenos Aires. AR, 2013 |
| Idioma: | spa |
| Datos de Edición: | Buenos Aires. AR. INTI. 2013. |
| Pág./Vol.: | 2p. |
| Unidad técnica: | INTI-Física y metrología. |
| Descriptores: | Circuitos integrados; Carburos; Silicio |
 Ver Documento
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | Uncertainty evaluation in a two-terminal cryogenic current comparator |
| Autor: | Bierzychudek, M.E.; Elmquist, R.E. |
| Autor Instit.: | INTI-Física y Metrología. Buenos Aires. AR |
| Título Ser./Col.: | IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement (2009), 4 |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | s.l. US. IEEE. 2008. |
| Pág./Vol.: | 6p. |
| Notas: | Este artículo puede ser consultado completo por usuarios internos al INTI. |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Resistencia eléctrica; Mediciones; Incertidumbre; Comparadores; Criogenia; Resistores |
Trabajo de INTI |
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| Ubicación: | 4777 |
| Disponibilidad: | Consulta in situ |
Fin
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