Término solicitado: BURGER, R.M./(22)
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| Tipo de Docum.: | libro |
| Título: | Fundamentals of silicon integrated device technology; vol.1: oxidation, diffusion and epitaxy; vol.2: bipolar and unipolar transistors |
| Autor: | Burger, R.M.; Donovan, R.P. |
| Título Ser./Col.: | Solid state physical electronics series |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | Englewood Cliffs. US. Prentice-Hall. 1967. |
| Pág./Vol.: | 2v. |
| Descriptores: | Silicio; Oxidación; Oxidos; Propiedades eléctricas; Densidad; Refracción; Porosidad; Resistencia eléctrica; Dieléctricos; Difusión; Mediciones; Cristales; Crecimiento de cristales; Transistores; Circuitos integrados; Diodos; Diseño de circuitos; Estática; Dinámica; Ruido; Temperatura; Superficies; Señales; Circuitos integrados lineales; Aplicaciones |
| Ubicación: | 621.38/B954 |
| Disponibilidad: | Préstamo |
Fin
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