Término solicitado: INGLIS, D./(22)
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| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | SIM comparison of DC resistance standards at 1 Ohm, 1 M Ohm, and 1 G Ohm |
| Autor: | Jarrett, D.G.; Elmquist, R.E; Zhang, N.F.; Tonina, A.; Porfiri, M.; Fernandes, J.; Schechter, H.; Izquierdo, D.; Faverio, C.; Slomovitz, D.; Inglis, D.; Wendler, K.; Márquez, F.H.; Medina, B.R. |
| Autor Instit.: | National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. US; INTI-Física y Metrología. Buenos Aires. AR; National Institute of Metrology Standardization and Industrial Quality. INMETRO. Duque de Caxias. BR; Administración Nacional de Usinas y Transmisiones Eléctricas. UTE. Montevideo. UY; National Research Council Canada. NRC. Ottawa. CA; Centro Nacional de Metrología. CENAM. Querétaro. MX |
| Título Ser./Col.: | IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol.58(4)2009 |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | New York. US. IEEE. 2009. |
| Pág./Vol.: | p.1188-1195. |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Mediciones; Resistores; Normas; Incertidumbre; Datos estadísticos; Resistencia eléctrica; Ohm |
Trabajo de INTI |
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| Ubicación: | 4716 |
| Disponibilidad: | Consulta in situ |
Fin
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