Término solicitado: QUINTEROS, C./(22)
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| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | HfO2 based memory devices with rectifying capabilities |
| Autor: | Quinteros, C.; Zazpe, R.; Marlasca, F.G.; Golmar, F.; Casanova, F.; Stoliar, P.; Hueso, L.; Levy, P. |
| Autor Instit.: | GIA, GAIANN, CAC-CNEA. San Martín, Bs. As. AR; CIC nanoGUNE. Donostia-San Sebastián. ES; INTI-Electrónica e Informática. Buenos Aires. AR; IKERBASQUE, Basque Foundation for Science. Bilbao. ES; Université de Nantes. IMN, CNRS. Nantes. FR; ECyT, UNSAM. San Martín, Bs. As.. AR |
| Título Ser./Col.: | Journal of Applied Physics 115, 024501 (2014) |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | Melville. US. American Institute of Physics. 2014. |
| Pág./Vol.: | 5p. |
| Unidad técnica: | INTI-Electrónica e Informática. |
| Descriptores: | Dispositivos electrónicos; Capacitores; Electrodos; Aislación; Metales; Oxidos; Resistencia eléctrica; Voltaje; Mediciones eléctricas |
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Trabajo de INTI |
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Fin
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