Término solicitado: STOLIAR, P./(22)
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| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | HfO2 based memory devices with rectifying capabilities |
| Autor: | Quinteros, C.; Zazpe, R.; Marlasca, F.G.; Golmar, F.; Casanova, F.; Stoliar, P.; Hueso, L.; Levy, P. |
| Autor Instit.: | GIA, GAIANN, CAC-CNEA. San Martín, Bs. As. AR; CIC nanoGUNE. Donostia-San Sebastián. ES; INTI-Electrónica e Informática. Buenos Aires. AR; IKERBASQUE, Basque Foundation for Science. Bilbao. ES; Université de Nantes. IMN, CNRS. Nantes. FR; ECyT, UNSAM. San Martín, Bs. As.. AR |
| Título Ser./Col.: | Journal of Applied Physics 115, 024501 (2014) |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | Melville. US. American Institute of Physics. 2014. |
| Pág./Vol.: | 5p. |
| Unidad técnica: | INTI-Electrónica e Informática. |
| Descriptores: | Dispositivos electrónicos; Capacitores; Electrodos; Aislación; Metales; Oxidos; Resistencia eléctrica; Voltaje; Mediciones eléctricas |
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | Electronic transport in sub-micron square area organic field-effect transistors |
| Autor: | Golmar, F.; Stoliar, P.; Gobbi, M.; Casanova, F.; Hueso, L. E. |
| Autor Instit.: | CIC nanoGUNE Consolider. Donostia – San Sebastián. ES; INTI-Electrónica e Informática. Buenos Aires. AR; Laboratoire de Physique des Solids. LPS, CNRS. Orsay. FR; Escuela de Ciencia y Tecnología. Universidad Nacional de San Martín. ECyT, UNSAM. San Martín, Pcia. de Buenos Aires. AR; IKERBASQUE, Basque Foundation for Science. Bilbao. ES |
| Título Ser./Col.: | Applied Physics Letters. 102, 103301 (2013) |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | Melville. US. American Institute of Physics. 2013. |
| Pág./Vol.: | 6p. |
| Unidad técnica: | INTI-Electrónica e Informática. |
| Descriptores: | Transistores; Semiconductores; Nanoestructuras; Dispositivos electrónicos; Campo eléctrico |
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | Resistive switching in rectifying interfaces of metal-semiconductor-metal structures |
| Autor: | Zazpe, R.; Stoliar, P.; Golmar, F.; Llopis, R.; Casanova, F.; Hueso, L.E. |
| Autor Instit.: | CIC nanoGUNE. Donostia – San Sebastián. ES; IMN, Université de Nantes. CNRS. Nantes. FR; Escuela de Ciencia y Tecnología. ECyT, UNSAM. San Martín, pcia. de Bs As. AR; INTI-Electrónica e Informática. Buenos Aires. AR; IKERBASQUE, Basque Foundation for Science. Bilbao. ES |
| Título Ser./Col.: | Applied Physics Letters. 103, 073114 (2013) |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | Melville. US. American Institute of Physics. 2013. |
| Pág./Vol.: | 6p. |
| Unidad técnica: | INTI-Electrónica e Informática. |
| Descriptores: | Semiconductores; Metales; Propiedades eléctricas; Resistencia eléctrica; Interfaces |
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Trabajo de INTI |
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