Término solicitado: TONINA, A./(22)
10 Registro/s encontrado/s en CAT
| Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
| Título: | Aplicaciones del efecto Hall cuántico a termoelectricidad y determinación de gradientes térmicos |
| Autor: | Real, M. A.; Tonina, A.; Arrachea, L.; Gresta, D.; Dietsche, W.; Wegscheider, W. |
| Reunión: | Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI. Argentina, TecnoINTI edición 2022. Jornadas de Desarrollo Tecnológico e Innovación, 14, Buenos Aires. AR, 2022 |
| Idioma: | spa |
| Datos de Edición: | Buenos Aires. AR. INTI. 2022. |
| Pág./Vol.: | Pag. varias: il.; grafs. |
| Unidad técnica: | INTI-Departamento de Metrología Cuántica. |
| Descriptores: | Termoelectricidad; Temperatura; Metrología; Conductancia; Campo magnético; Corriente eléctrica |
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
| Título: | Estudio de propiedades termoeléctricas en sistemas bidimensionales |
| Autor: | Real, M.; Tonina, A.; Giudici, P.; Arrachea, L. |
| Reunión: | Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI. Buenos Aires. AR, TecnoINTI edición 2017. Jornadas Abiertas de Desarrollo, Innovación y Transferencia Tecnológica, 13, Buenos Aires. AR, 2017 |
| Idioma: | spa |
| Datos de Edición: | Buenos Aires. AR. INTI. 2017. |
| Pág./Vol.: | 2p. |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Propiedades térmicas; Propiedades eléctricas |
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | SIM.EM – S9b, 1 Ω and 10 kΩ : 2012 Resistance Bilateral Comparison between SIM/COOMET Laboratories. Comparison of Resistance Standards at 1 Ω and 10 kΩ between INIMET (Cuba) and INTI (Argentina) |
| Autor: | Tonina, A.; Currás, M.; Navarro, M. |
| Título Ser./Col.: | Metrología, 51 |
| Autor Inst. Ser./Col.: | Bureau International des Poids et Mesures. BIPM. Paris. FR |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | s.l. IOP Publishing. 2014. |
| Pág./Vol.: | 9p. |
| Descriptores: | Sistema Interamericano de Metrología; Metrología; Calibración; Patrones; Comparadores; Resistores |
| Resumen: | The CIPM MRA states that its technical basis is a set of results obtained in a course of time through key comparisons carried out by the Consultative Committees of the CIPM, the BIPM and the Regional Metrology Organizations (RMOs). As part of this process, INTI (Argentina) has participated in several key and supplementary comparisons. By means of procedures for linking key comparison data, a bilateral comparison would help to provide assurance of equality in measurements between the participating laboratories. With this end, the comparison SIM.EM-S9.b of 1 ohm and 10 kiloohm standard resistors of INIMET (Cuba) and INTI was carried out from March to October 2012. The obtained results were very good. They show that the resistance standards maintained by INTI and INIMET were equivalent, within their combined uncertainties, on the mean date of the comparison. |
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Trabajo de INTI |
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URL: |
https://iopscience.iop.org/article/10.1088/0026-1394/51/1A/01003 |
| Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
| Título: | Intercomparación de resistencia en 1 Ω [Ohm] y 10 Ω [Ohm] entre INTI e INIMET |
| Autor: | Tonina, A.; Currás, M.; Navarro González, M. |
| Reunión: | Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI. Buenos Aires. AR, TecnoINTI edición 2013. Jornadas Abiertas de Desarrollo, Innovación y Transferencia Tecnológica, 11, Buenos Aires. AR, 2013 |
| Idioma: | spa |
| Datos de Edición: | Buenos Aires. AR. INTI. 2013. |
| Pág./Vol.: | 2p. |
| Unidad técnica: | INTI-Física y metrología. |
| Descriptores: | Resistencia eléctrica; Ohm |
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
| Título: | Crecimiento epitaxial de grafeno en SiC(0001) para su aplicación como resistencia estándar |
| Autor: | Real, M.A.; Tonina, A.; Elmquist, R.E.; Lass, E.A.; Liu, F.H.; Soons, J. |
| Reunión: | Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI. Buenos Aires. AR, TecnoINTI edición 2013. Jornadas Abiertas de Desarrollo, Innovación y Transferencia Tecnológica, 11, Buenos Aires. AR, 2013 |
| Idioma: | spa |
| Datos de Edición: | Buenos Aires. AR. INTI. 2013. |
| Pág./Vol.: | 2p. |
| Unidad técnica: | INTI-Física y metrología. |
| Descriptores: | Circuitos integrados; Carburos; Silicio |
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
| Título: | Design and fabrication of high value standard resistors at INTI |
| Autor: | Bierzychudek, M.; Garcia, R.; Real, M.; Tonina, A. |
| Autor Instit.: | INTI-Física y Metrología. Buenos Aires. AR |
| Reunión: | Conference on precision electromagnetic measurements, Broomfield, Colorado. US, 2008 |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | s.l. IEEE. 2008. |
| Pág./Vol.: | 2p. |
| Notas: | Fuente: IEEE, de acuerdo a su política de copyright: "Los autores / empleadores pueden reproducir o autorizar a terceros a reproducir la Obra, material extraído literalmente de la Obra o trabajos derivados para el uso personal del autor o para uso de la empresa, siempre que se indique la fuente y el aviso de copyright de IEEE, no deben usarse las copias de ninguna manera que implique el respaldo de IEEE de un producto o servicio de cualquier empleador y las copias en sí no se ofrecen para la venta". |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Resistores; Resistencia eléctrica; Diseño; Normalización; Mediciones eléctricas |
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | documento de conferencia |
| Título: | High resistance measurements with a two-terminal cryogenic current comparator |
| Autor: | Bierzychudek, M.; Tonina, A. |
| Autor Instit.: | INTI-Física y Metrología. Buenos Aires. AR |
| Reunión: | Conference on precision electromagnetic measurements, Washington. US, 2012 |
| Título Ser./Col.: | CPEM Digest, art. no. 6250957, pp. 372-373 |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | s.l. US. IEEE. 2012. |
| Pág./Vol.: | 2p. |
| Notas: | Fuente: IEEE, de acuerdo a su política de copyright: "Los autores / empleadores pueden reproducir o autorizar a terceros a reproducir la Obra, material extraído literalmente de la Obra o trabajos derivados para el uso personal del autor o para uso de la empresa, siempre que se indique la fuente y el aviso de copyright de IEEE, no deben usarse las copias de ninguna manera que implique el respaldo de IEEE de un producto o servicio de cualquier empleador y las copias en sí no se ofrecen para la venta". |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Resistencia eléctrica; Mediciones; Comparadores; Criogenia; Incertidumbre; Resistores |
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Trabajo de INTI |
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| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | Comparison of the Josephson voltage standards of the INTI and the BIPM (part of the ongoing BIPM key comparison BIPM.EM-K10.a) |
| Autor: | Solve, S.; Chayramy, R.; Stock, M.; Iuzzolino, R.; Tonina, A. |
| Autor Instit.: | Bureau International des Poids et Mesures. BIPM. Sèvres. FR; INTI-Física y Metrología. Buenos Aires. AR |
| Título Ser./Col.: | Metrologia, 49, 01009 |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | s.l. 2012. |
| Pág./Vol.: | 16p. |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Mediciones eléctricas; Voltaje; Normas; Detectores; Incertidumbre; Resistencia eléctrica; Precisión |
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Trabajo de INTI |
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| Disponibilidad: | Consulta in situ |
| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | SIM comparison of DC resistance standards at 1 Ohm, 1 M Ohm, and 1 G Ohm |
| Autor: | Jarrett, D.G.; Elmquist, R.E; Zhang, N.F.; Tonina, A.; Porfiri, M.; Fernandes, J.; Schechter, H.; Izquierdo, D.; Faverio, C.; Slomovitz, D.; Inglis, D.; Wendler, K.; Márquez, F.H.; Medina, B.R. |
| Autor Instit.: | National Institute of Standards and Technology. NIST. Gaithersburg. US; INTI-Física y Metrología. Buenos Aires. AR; National Institute of Metrology Standardization and Industrial Quality. INMETRO. Duque de Caxias. BR; Administración Nacional de Usinas y Transmisiones Eléctricas. UTE. Montevideo. UY; National Research Council Canada. NRC. Ottawa. CA; Centro Nacional de Metrología. CENAM. Querétaro. MX |
| Título Ser./Col.: | IEEE Transactions on Instrumentation and Measurement, Vol.58(4)2009 |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | New York. US. IEEE. 2009. |
| Pág./Vol.: | p.1188-1195. |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Mediciones; Resistores; Normas; Incertidumbre; Datos estadísticos; Resistencia eléctrica; Ohm |
Trabajo de INTI |
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| Ubicación: | 4716 |
| Disponibilidad: | Consulta in situ |
| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | Caracterización de muestras para el efecto Hall cuántico |
| Autor: | Real, M.; Tonina, A.; Bierzychudek, M. |
| Autor Instit.: | INTI-Física y Metrología. Buenos Aires. AR |
| Reunión: | Instituto Nacional de Tecnología Industrial. INTI. Buenos Aires. AR, Encuentro de primavera 2010, Buenos Aires. AR, 2010 |
| Idioma: | spa |
| Datos de Edición: | Buenos Aires. AR. INTI. 2010. |
| Pág./Vol.: | p.176-177. |
| Notas: | Tema 06: Mayor confiabilidad de productos, P10052. |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Resistencia eléctrica; Teoría cuántica; Bajas temperaturas; Metrología; Temperatura; Mediciones; Errores; Corriente eléctrica |
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Trabajo de INTI |
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| Ubicación: | 4648; 330.34/I59/2010 |
| Disponibilidad: | Consulta in situ |
Fin
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