Término solicitado: LASS, ERIC A./(22)
1 Registro/s encontrado/s en CAT+NORMA
| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | Graphene epitaxial growth on SiC(0001) for resistance standards |
| Autor: | Real, Mariano; Lass, Eric A.; Liu, Fan-Hung; Shen, Tian; Jones, George R.; Soons, Johannes A.; Newell, David B.; Davydov, Albert V.; Elmquist, Randolph E. |
| Autor Instit.: | INTI-Física y Metrología. Buenos Aires. AR; Institute of Electrical and Electronics Engineers. IEEE. New York. US |
| Título Ser./Col.: | IEEE Transactions on instrumentation and measurement, Vol. 62, Nº 6, june 2013, pp.1454-1460 |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | New York. US. IEEE. 2013. |
| Pág./Vol.: | 7p. |
| Notas: | Fuente: IEEE, de acuerdo a su política de copywright: "Los autores / empleadores pueden reproducir o autorizar a terceros a reproducir la Obra, material extraído literalmente de la Obra o trabajos derivados para el uso personal del autor o para uso de la empresa, siempre que se indique la fuente y el aviso de copyright de IEEE, no deben usarse las copias de ninguna manera que implique el respaldo de IEEE de un producto o servicio de cualquier empleador y las copias en sí no se ofrecen para la venta". |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Resistencia eléctrica; Mediciones eléctricas; Difusión; Crecimiento; Morfología; Superficies; Grafito; Ensayos |
 Ver Documento
| |
Trabajo de INTI |
|
Fin
[Página de Inicio] [Nueva Búsqueda][Página Anterior]