Término solicitado: LIU, FAN-HUNG/(22)
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| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | Low carrier density epitaxial graphene devices on SiC |
| Autor: | Yang, Yanfei; Huang, Lung-I; Fukuyama, Yasuhiro; Liu, Fan-Hung; Real, Mariano A.; Barbara, Paola; Liang, Chi-Te; Newell, David B.; Elmquist, Randolph E. |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | s.l. arXiv. 2014. |
| Pág./Vol.: | 17p. |
| Descriptores: | Fibras de carbono; Teoría cuántica; Agua; Grafito; Corrosión por exfoliación; Propiedades eléctricas; Metrología; Resistencia de materiales |
| Resumen: | Monolayer epitaxial graphene (EG) grown on hexagonal Si-terminated SiC substrates is intrinsically electron-doped (carrier density is about 10^13 cm^(-2)). We demonstrate a clean device fabrication process using a precious-metal protective layer, and show that etching with aqua regia results in p-type (hole) molecular doping of our un-gated, contamination-free EG. Devices fabricated by this simple process can reach a carrier density in the range of 10^10 cm^(-2) to 10^11 cm^(-2) with mobility about 8000 cm^2/V/s or higher. In a moderately doped device with a carrier density n = 2.4 x 10^11 cm^(-2) and mobility = 5200 cm^2/V/s, we observe highly developed quantized Hall resistance plateaus with filing factor of 2 at magnetic field strengths of less than 4 T. Doping concentrations can be restored to higher levels by heat treatment in Ar, while devices with both p-type and n-type majority carriers tend to drift toward lower carrier concentrations in ambient air. |
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Trabajo de INTI |
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URL: |
https://arxiv.org/abs/1404.1048 |
| Tipo de Docum.: | artículo |
| Título: | Graphene epitaxial growth on SiC(0001) for resistance standards |
| Autor: | Real, Mariano; Lass, Eric A.; Liu, Fan-Hung; Shen, Tian; Jones, George R.; Soons, Johannes A.; Newell, David B.; Davydov, Albert V.; Elmquist, Randolph E. |
| Autor Instit.: | INTI-Física y Metrología. Buenos Aires. AR; Institute of Electrical and Electronics Engineers. IEEE. New York. US |
| Título Ser./Col.: | IEEE Transactions on instrumentation and measurement, Vol. 62, Nº 6, june 2013, pp.1454-1460 |
| Idioma: | eng |
| Datos de Edición: | New York. US. IEEE. 2013. |
| Pág./Vol.: | 7p. |
| Notas: | Fuente: IEEE, de acuerdo a su política de copywright: "Los autores / empleadores pueden reproducir o autorizar a terceros a reproducir la Obra, material extraído literalmente de la Obra o trabajos derivados para el uso personal del autor o para uso de la empresa, siempre que se indique la fuente y el aviso de copyright de IEEE, no deben usarse las copias de ninguna manera que implique el respaldo de IEEE de un producto o servicio de cualquier empleador y las copias en sí no se ofrecen para la venta". |
| Unidad técnica: | INTI-Física y Metrología. |
| Descriptores: | Resistencia eléctrica; Mediciones eléctricas; Difusión; Crecimiento; Morfología; Superficies; Grafito; Ensayos |
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Trabajo de INTI |
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